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Durch Anklicken der folgenden (blauen) Links können Sie Simulationsbeispiele zu Schaltungen mit Feldeffekt-Transistoren auswählen:

Fet1: Source-Schaltung mit N-Kanal-JFetFet5: CMOS-Inverter
Fet2: Drain-Schaltung mit N-Kanal-JFetFet6: CMOS-NAND-Glied
Fet3: Drain-Schaltung mit N-Kanal-MOSFetFet7: CMOS-NOR-Glied
Fet4: Drain-Schaltung mit P-Kanal-MOSFetFet8: 120 W MOSFet-Endstufe




Beispiel Fet8:
PSpice-Simulation eines 120 W Leistungsverstärkers mit komplementären MOSFets IRF150 und IRF9140

Bild 1 zeigt einen Leistungsverstärker mit 2x2 komplementären MOSFets IRF150 und IRF9140. Da die Eingangswiderstände der einzelnen MOSFets extem hoch sind, könnte die Leistungsabgabe des Verstärkers durch Parallelschalten weiterer MOSFets noch weiter erhöht werden, ohne dass die Dimensionierung der verwendeten Differenzverstärker verändert werden müsste. Sehr praktisch.

Schaltung

Bild 1: 120 W Leistungsverstärker mit komplementären MOSFets




Bild 2 zeigt die Ausgangsspannung, die Sourceströme eines komplementären MOSFet-Paares und deren Summe.


Ströme und Spannungen
Bild 2: Ausgangsspannung und Sourceströme der Ausgangstransistoren der Schaltung von Bild 1

Bild 3 zeigt das Ergebnis einer Fourier-Analyse der ersten vier Harmonischen. Der Klirrfaktor beträgt ca. 0,0003.


Fourier-Ergebnisse
Bild 3: Ergebnis einer Fourier-Analyse: Grundschwingung mit drei Oberschwingungen und Harmonische Verzerrung (entspicht sehr genau dem Klirrfaktor)

Bild 4 zeigt das Ergebnis einer AC-Analyse. Der Verstärker arbeitet praktisch als Gleichspannungsverstärker. Die obere Grenzfrequenz liegt oberhalb von 100 kHz.


Frequenzgang
Bild 4: Frequenzgang der Schaltung von Bild 1




Download der Simulationsdateien zum MOSFet-Leistungsverstärker:

Falls Sie die Schaltung simulieren möchten, sich aber vor der Zeichenarbeit scheuen, oder falls Sie mit dem Simulationssetup nicht zurecht kommen, können Sie hier die Schaltung von Bild 1 mit fertigem Simulationssetup im SCHEMATICS- oder im CAPTURE-Format herunterladen. Zur Simulation benötigen Sie die Euromodifikationen zu PSpice, die Bestandteil meines Buches sind.

Damit Sie nach der Simulation automatisch die vorgefertigten Probe-Diagramme erhalten, müssen Sie vor dem Start der Simulation in SCHEMATICS die Option ANALYSIS/PROBE SETUP/RESTORE LAST PROBE SESSION wählen, bzw in CAPTURE im Fenster SIMULATION SETTINGS die Option PROBE WINDOW/SHOW/LAST PLOT.

Für CAPTURE ab V10:
Laden Sie die unten angebotene selbstex- trahierende ZIP-Datei endstufe_cap.exe herunter und starten Sie dann die Entpackung durch Doppelklick auf den Dateinamen. Das Entpackprogramm schlägt Ihnen zum Aufbewahren der entpackten Dateien den Ordner PSpice-Beispiele vor. Ein guter Vorschlag. Starten Sie anschließend aus CAPTURE heraus endstufe.opj:

Laden Sie hier endstufe_cap.exe (35 kB)


Für SCHEMATICS:
Laden Sie die unten angebotene selbstex- trahierende ZIP-Datei endstufe_sch.exe herunter und starten Sie dann die Entpackung durch Doppelklick auf den Dateinamen. Das Entpackprogramm schlägt Ihnen zum Aufbewahren der entpackten Dateien den Ordner PSpice-Beispiele vor. Ein guter Vorschlag. Starten Sie anschließend aus SCHEMATICS heraus endstufe.sch:

Laden Sie hier endstufe_sch.exe (28 kB)



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