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Durch Anklicken der folgenden (blauen) Links können Sie Simulationsbeispiele zur Kennlinienaufnahme gängiger Halbleitertypen auswählen:

Ke1: N-Kanal-JFetKe2: P-Kanal-JFet
Ke3: N-Kanal-MOSFetKe4: P-Kanal-MOSFet
Ke5: NPN-BipolartransistorKe6: PNP-Bipolartransistor
Ke7: ThyristorKe8: Triac
Ke9: Dioden und Z-Dioden



Beispiel Ke3:
PSpice-Simulation der Kennlinien von N-Kanal-MOSFets (Verarmungs- und Anreicherungstyp)

Bild 1 zeigt eine Schaltung zur Aufnahme der Kennlinien des Anreicherungstyp-N-Kanal-MOSFet IRF150. Falls Sie die Kennlinien eines anderen N-Kanal-MOSFet aufnehmen wollen, brauchen Sie nur auf dem Schaltplan den IRF150 durch den gewünschten Transistor zu ersetzen. Auch N-Kanal-MOSFET des Verarmungstyps können mit dieser Schaltung simuliert werden, da die Sweeps von Vgs von -5V bis +5V gehen.



Schaltung
Bild 1: Testschaltung zur Kennlinienaufnahme



Bild 2 zeigt als Ergebnis eines DC-Sweeps von Ugs in Verbindung mit einem Parametric Sweep von Uds die Eingangskennlinie des verwendeten N-Kanal-MOSFet IRF150 mit Uds = 10V ... 30V als Parameter. Bild 3 zeigt als Ergebnis eines DC-Sweeps von Uds (0V ...30V) in Verbindung mit einem Parametric Sweep von Ugs das Ausgangskennlinienfeld des Transistors mit Ugs = -5V ... +5V als Parameter.


Eingangskennlinie
Bild 2: Eingangskennlinie des N-Kanal-JFet IRF150


Ausgangskennlinienfeld
Bild 3: Ausgangskennlinienfeld des N-Kanal-MOSFet IRF150. Die Parameter der im Ausgangskennlinienfeld sichtbaren Kurven gehen von Ugs = +3V (die rötliche Kurve ganz unten) bis Ugs = +5V (die grüne Kurve ganz oben)


N-Kanal MOSFets des Verarmungstyps arbeiten sowohl mit negativen, als auch mit positiven Gates-Source-Spannungen. Wenn man Ugs, so wie in der obigen Simulation der Eingangskennlinie von -5V bis +5V sweept, kann man mit dem gleichen Simulationssetup die Kennlinien sowohl der Anreicherungstypen, als auch der Verarmungstypen simulieren. Bild 4 zeigt die Eingangskennlinie eines N-Kanal-MOSFet des Verarmungstyps. Bild 5 zeigt für den gleichen Transistor das Ausgangskennlinienfeld.


Eingangskennlinie
Bild 4: Eingangskennlinie eines N-Kanal-JFet vom Verarmungstyp


Ausgangskennlinienfeld
Bild 5: Ausgangskennlinienfeld eines N-Kanal-MOSFet vom Verarmungstyp. Die Parameter der im Ausgangskennlinienfeld sichtbaren Kurven gehen von Ugs = -3V (die rötliche Kurve ganz unten) bis Ugs = +5V (die grüne Kurve ganz oben)



Download der Dateien zur Simulation der Kennlinien eines N-Kanal-MOSFet:

Falls Sie die Schaltung simulieren möchten, sich aber vor der Zeichenarbeit scheuen, oder falls Sie mit dem Simulationssetup nicht zurecht kommen, können Sie hier die Schaltung von Bild 1 mit fertigem Simulationssetup im SCHEMATICS- oder im CAPTURE-Format herunterladen. Zur Simulation benötigen Sie die Euromodifikationen zu PSpice, die Bestandteil meines Buches sind.

Damit Sie nach der Simulation automatisch die vorgefertigten Probe-Diagramme erhalten, müssen Sie vor dem Start der Simulation in SCHEMATICS die Option ANALYSIS/PROBE SETUP/RESTORE LAST PROBE SESSION wählen, bzw in CAPTURE im Fenster SIMULATION SETTINGS die Option PROBE WINDOW/SHOW/LAST PLOT.

Für CAPTURE ab V10:
Laden Sie die unten angebotene selbstex- trahierende ZIP-Datei mosfet_n_cap.exe herunter und starten Sie dann die Entpackung durch Doppelklick auf den Dateinamen. Das Entpackprogramm schlägt Ihnen zum Aufbewahren der entpackten Dateien den Ordner PSpice-Beispiele vor. Ein guter Vorschlag. Starten Sie anschließend aus CAPTURE heraus mosfet_n.opj:

Laden Sie hier mosfet_n_cap.exe (37 kB)


Für SCHEMATICS:
Laden Sie die unten angebotene selbstex- trahierende ZIP-Datei mosfet_n_sch.exe herunter und starten Sie dann die Entpackung durch Doppelklick auf den Dateinamen. Das Entpackprogramm schlägt Ihnen zum Aufbewahren der entpackten Dateien den Ordner PSpice-Beispiele vor. Ein guter Vorschlag. Starten Sie dann aus SCHEMATICS heraus mosfet_n_ein.sch zur Simulation der Eingangskennlinie und mosfet_n_aus.sch zur Simulation der Ausgangskennlinie:

Laden Sie hier mosfet_n_sch.exe (29 kB)



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